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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
比较
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
总分
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
总分
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
42
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.9
11.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
29
读取速度,GB/s
11.7
18.9
写入速度,GB/s
8.0
15.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2535
3466
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB RAM的比较
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G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB RAM的比较
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905663-030.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Hyundai Inc GP-GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
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