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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
比较
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
总分
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
总分
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.6
7.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
7.3
6.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
10600
8500
左右 1.25% 更高的带宽
需要考虑的原因
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
41
左右 -14% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
41
36
读取速度,GB/s
11.6
7.6
写入速度,GB/s
7.3
6.6
内存带宽,mbps
10600
8500
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
排名PassMark (越多越好)
1438
867
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
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