SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Pontuação geral
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Pontuação geral
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Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Diferenças

  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    11.6 left arrow 7.6
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    7.3 left arrow 6.6
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 8500
    Por volta de 1.25% maior largura de banda
  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    36 left arrow 41
    Por volta de -14% menor latência

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    41 left arrow 36
  • Velocidade de leitura, GB/s
    11.6 left arrow 7.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.3 left arrow 6.6
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 8500
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1438 left arrow 867
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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