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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

総合得点
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

総合得点
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Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.6 left arrow 7.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.3 left arrow 6.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 8500
    周辺 1.25% 高帯域
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB 考慮すべき理由
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 41
    周辺 -14% 低遅延

仕様

技術仕様の完全リスト
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 36
  • 読み出し速度、GB/s
    11.6 left arrow 7.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.3 left arrow 6.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 8500
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1438 left arrow 867

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