SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB против Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    11.6 left arrow 7.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    7.3 left arrow 6.6
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    10600 left arrow 8500
    Около 1.25% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    36 left arrow 41
    Около -14% меньшая задержка

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    41 left arrow 36
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.6 left arrow 7.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.3 left arrow 6.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 8500
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1438 left arrow 867
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения