Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB против Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB

Различия

  • Выше скорость записи
    6.6 left arrow 6.2
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    29 left arrow 36
    Около -24% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    9.4 left arrow 7.6
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    36 left arrow 29
  • Скорость чтения, Гб/сек
    7.6 left arrow 9.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    6.6 left arrow 6.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    8500 left arrow 8500
Other
  • Описание
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    867 left arrow 1207
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения