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Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
比较
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB vs Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
总分
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
总分
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
6.6
6.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
36
左右 -24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
9.4
7.6
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
36
29
读取速度,GB/s
7.6
9.4
写入速度,GB/s
6.6
6.2
内存带宽,mbps
8500
8500
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
排名PassMark (越多越好)
867
1207
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB RAM的比较
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung M471B5673EH1-CF8 2GB RAM的比较
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8WL9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
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