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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
48
左右 -60% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.8
8.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
30
读取速度,GB/s
8.9
11.8
写入速度,GB/s
5.9
5.9
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
1984
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
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