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Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Comparar
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Pontuação geral
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
7.2
6.8
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
10600
8500
Por volta de 1.25% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
41
Por volta de -37% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.6
10
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
41
30
Velocidade de leitura, GB/s
10.0
10.6
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
6.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
8500
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1210
1479
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB Comparações de RAM
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
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