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Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Confronto
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.2
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
10600
8500
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
41
Intorno -37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.6
10
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
41
30
Velocità di lettura, GB/s
10.0
10.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
8500
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1210
1479
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB Confronto tra le RAM
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
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