Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB

Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Differenze

  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    7.2 left arrow 6.8
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    10600 left arrow 8500
    Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    30 left arrow 41
    Intorno -37% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    10.6 left arrow 10
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenza in PassMark, ns
    41 left arrow 30
  • Velocità di lettura, GB/s
    10.0 left arrow 10.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.2 left arrow 6.8
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 8500
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1066 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1210 left arrow 1479
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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