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Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
比较
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs Kingston XK2M26-MIE 16GB
总分
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
总分
Kingston XK2M26-MIE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
Kingston XK2M26-MIE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
39
48
左右 -23% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14
8.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
6.4
5.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
48
39
读取速度,GB/s
8.9
14.0
写入速度,GB/s
5.9
6.4
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1420
2297
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB RAM的比较
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB RAM的比较
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
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