RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Kingston XK2M26-MIE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
48
Около -23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
39
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
14.0
Скорость записи, Гб/сек
5.9
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2297
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KH280C14D4/8X 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link