RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.1
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.1
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3082
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link