RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.1
1,852.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
5,535.6
13.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,852.4
9.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
1989
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8KU5 2GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MN5 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link