RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
28
Около 11% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
17.1
Скорость записи, Гб/сек
10.1
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3082
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston K000MD44U 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link