RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Porównaj
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB vs Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
52
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
8.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
33
Prędkość odczytu, GB/s
9.8
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.0
12.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2179
3285
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link