RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
65
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
1,592.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,580.8
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,592.0
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
572
3931
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link