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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
31
En 19% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
31
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
9.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
2554
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
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