RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
9.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.4
Скорость записи, Гб/сек
10.1
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
2554
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G2139U2 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link