RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
31
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2554
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link