RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сравнить
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
46
Около -24% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.8
1,519.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
3200
Около 8 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
37
Скорость чтения, Гб/сек
2,909.8
16.9
Скорость записи, Гб/сек
1,519.2
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
3200
25600
Other
Описание
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
241
3170
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Сравнения RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link