Confronto tra le RAM Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Punteggio complessivo

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

37 46

Intorno -24% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

13.8 1,519.2

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

25600 3200

Intorno 8 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock

3-3-3-12 / 400 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

241 3170

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns