RAM-Vergleich Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Gesamtnote

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

2 16.9

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

37 46

Rund um -24% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

13.8 1,519.2

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

25600 3200

Rund um 8 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit

3-3-3-12 / 400 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

241 3170

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns