Porównanie pamięci RAM Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Wynik ogólny

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

37 46

Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

13.8 1,519.2

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 3200

Wokół strony 8 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara

3-3-3-12 / 400 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

241 3170

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns