Comparação RAM Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Pontuação geral

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

37 46

Por volta de -24% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

13.8 1,519.2

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

25600 3200

Por volta de 8 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tempos / Velocidade do relógio

3-3-3-12 / 400 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

241 3170

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns