RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
31
Autour de 23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
31
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2554
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link