RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
62
Rund um -107% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.7
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
13.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
7.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
2325
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link