RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,013.5
18.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
68
Rund um -278% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
68
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,402.8
20.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,013.5
18.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
701
3529
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB RAM-Vergleiche
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link