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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
20.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,013.5
18.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
68
Intorno -278% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
18
Velocità di lettura, GB/s
4,402.8
20.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,013.5
18.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
701
3529
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB Confronto tra le RAM
Kingston DDR2 PC800MHz 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
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