RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
62
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.7
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.2
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
30
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
7.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2325
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link