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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Gesamtnote
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
77
Rund um -166% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
1,884.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,936.9
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,884.0
13.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
564
3321
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
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