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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
比较
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
总分
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
总分
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
17.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
77
左右 -166% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.8
1,884.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
77
29
读取速度,GB/s
2,936.9
17.7
写入速度,GB/s
1,884.0
13.8
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
564
3321
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
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