SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

总分
star star star star star
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

总分
star star star star star
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

差异

  • 更快的写入速度,GB/s
    1,884.0 left arrow 1,813.5
    测试中的平均数值
  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    56 left arrow 77
    左右 -38% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    4 left arrow 2
    测试中的平均数值

规格

完整的技术规格清单
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMark中的延时,ns
    77 left arrow 56
  • 读取速度,GB/s
    2,936.9 left arrow 4,387.7
  • 写入速度,GB/s
    1,884.0 left arrow 1,813.5
  • 内存带宽,mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • 描述
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    564 left arrow 693
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较