SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Differenze

  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    1,884.0 left arrow 1,813.5
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    56 left arrow 77
    Intorno -38% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    4 left arrow 2
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenza in PassMark, ns
    77 left arrow 56
  • Velocità di lettura, GB/s
    2,936.9 left arrow 4,387.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,884.0 left arrow 1,813.5
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    564 left arrow 693
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