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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
总分
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
总分
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
34
左右 21% 更低的延时
需要考虑的原因
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.2
16.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.1
11.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
34
读取速度,GB/s
16.7
17.2
写入速度,GB/s
11.8
12.1
内存带宽,mbps
21300
25600
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2756
3119
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM的比较
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Kingston ACR32D4U2S8ME-16 16GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
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Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
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