RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Vergleichen Sie
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
10.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.4
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.9
10.8
Speicherbandbreite, mbps
21300
25600
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2907
2881
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hewlett-Packard 7EH98AA#ABB 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link