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SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
比较
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
总分
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
11.9
10.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
16.4
16.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
21300
左右 1.2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
34
34
读取速度,GB/s
16.2
16.4
写入速度,GB/s
11.9
10.8
内存带宽,mbps
21300
25600
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2907
2881
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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