RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
29
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.5
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
13.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1977
3302
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6N1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6D1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVSB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston KHX2666C15S4/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link