RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
26
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.8
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.2
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
25
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.1
18.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.1
15.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2764
3666
Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link