RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB

総合得点
star star star star star
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung 1600 CL10 Series 8GB 考慮すべき理由
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 26
    周辺 4% 低遅延
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB 考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.8 left arrow 16.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.2 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 12800
    周辺 1.5 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    25 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    16.1 left arrow 18.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    10.1 left arrow 15.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2764 left arrow 3666

Samsung 1600 CL10 Series 8GB RAMの比較

G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
メモリRAM
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FAR 4GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
メモリRAM
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
メモリRAM