RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
26
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.8
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
26
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
18.8
Скорость записи, Гб/сек
10.1
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3666
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link