RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
52
Rund um 12% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12
10.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
46
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
10.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
7.6
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1959
2384
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link