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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
46
Rund um -18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
12
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
7.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
14900
12800
Rund um 1.16 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
46
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.0
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.5
9.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
14900
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1959
2509
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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