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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
8.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
14900
10600
Rund um 1.41% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
39
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR3
Latenzzeit in PassMark, ns
39
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.4
10.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
8.4
Speicherbandbreite, mbps
14900
10600
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2509
1570
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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