RAM-Vergleich Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Gesamtnote

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

13.4 10.5

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.2 8.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

14900 10600

Rund um 1.41% höhere Bandbreite

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 39

Rund um -39% geringere Latenzzeit

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-10-9-28 / 1866 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2509 1570

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns