Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Gesamtnote
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Gesamtnote
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Unterschiede

  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.4 left arrow 10.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.2 left arrow 8.4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    14900 left arrow 10600
    Rund um 1.41% höhere Bandbreite
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 39
    Rund um -39% geringere Latenzzeit

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    39 left arrow 28
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.4 left arrow 10.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.2 left arrow 8.4
  • Speicherbandbreite, mbps
    14900 left arrow 10600
Other
  • Beschreibung
    PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 7-7-7-20 / 1333 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2509 left arrow 1570
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