Comparación de la memoria RAM Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Puntuación global

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

13.4 10.5

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

9.2 8.4

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

14900 10600

En 1.41% mayor ancho de banda

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

28 39

En -39% menor latencia

Lista completa de especificaciones técnicas

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tiempos / Velocidad del reloj

9-10-9-28 / 1866 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2509 1570

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns