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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Pontuação geral
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
10.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
14900
10600
Por volta de 1.41% maior largura de banda
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
39
Por volta de -39% menor latência
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
39
28
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
10.5
Velocidade de escrita, GB/s
9.2
8.4
Largura de banda de memória, mbps
14900
10600
Other
Descrição
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
9-10-9-28 / 1866 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2509
1570
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB Comparações de RAM
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB Comparações de RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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