Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Pontuação geral
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Pontuação geral
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    39 left arrow 46
    Por volta de -18% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    13.4 left arrow 12
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    9.2 left arrow 7.5
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    14900 left arrow 12800
    Por volta de 1.16 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR3
  • Latência em PassMark, ns
    46 left arrow 39
  • Velocidade de leitura, GB/s
    12.0 left arrow 13.4
  • Velocidade de escrita, GB/s
    7.5 left arrow 9.2
  • Largura de banda de memória, mbps
    12800 left arrow 14900
Other
  • Descrição
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
  • Tempos / Velocidade do relógio
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-10-9-28 / 1866 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1959 left arrow 2509
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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