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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Diferenças
Especificações
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Razões a considerar
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
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Razões a considerar
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
39
46
Por volta de -18% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.4
12
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
7.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
14900
12800
Por volta de 1.16 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
46
39
Velocidade de leitura, GB/s
12.0
13.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.5
9.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
14900
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-10-9-28 / 1866 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1959
2509
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
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