Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB против Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    39 left arrow 46
    Около -18% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    13.4 left arrow 12
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    9.2 left arrow 7.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    14900 left arrow 12800
    Около 1.16 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    46 left arrow 39
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.0 left arrow 13.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.5 left arrow 9.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 14900
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-10-9-28 / 1866 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1959 left arrow 2509
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения