RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
62
Около -158% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.4
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
24
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
19.7
Скорость записи, Гб/сек
5.9
18.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
4182
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link