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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB vs Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

総合得点
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB

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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB

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相違点 仕様 コメント

相違点

Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
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Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB 考慮すべき理由
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    39 left arrow 46
    周辺 -18% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.4 left arrow 12
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.2 left arrow 7.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 12800
    周辺 1.16 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    46 left arrow 39
  • 読み出し速度、GB/s
    12.0 left arrow 13.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.5 left arrow 9.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 14900
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-14900, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-10-9-28 / 1866 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1959 left arrow 2509

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